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中微公司在等离子体刻蚀技术领域实现重大突破

文 / 小亚 2025-03-26 23:02:11 来源:亚汇网

据介绍,这一刻蚀精度在氧化硅、氮化硅和多晶硅等薄膜的刻蚀工艺上,均得到了验证。该精度约等于硅原子直径2.5埃的十分之一,是人类头发丝平均直径100微米的500万分之一。在200片硅片的重复性测试中,氧化硅、氮化硅和多晶硅的测试晶圆,在左右两个反应台上各100片的平均刻蚀速度相差,各为每分钟0.9埃,1.5埃和1.0埃。两个反应台之间平均刻蚀速度的差别(≤0.09%),远小于一个反应台加工多片晶圆刻蚀速度的差别(≤0.9%)。▲中微公司ICP双反应台刻蚀机PrimoTwin-Star?中微公司透露,CCP的双台机PrimoD-RIE?和PrimoAD-RIE?的加工精度,两个反应台的刻蚀重复性和在生产线上的重复性也早已达到和PrimoTwin-Star?相同的水平。在两个反应台各轮流加工1000片的重复性测试中,两个反应台的平均刻蚀速度相差,只有每分钟9埃,小于1.0纳米。广告声明:文内含有的对外跳转链接(包括不限于超链接、二维码、口令等形式),用于传递更多信息,节省甄选时间,结果仅供参考,亚汇网所有文章均包含本声明。

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