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台积电“美国制造”芯片进度落后:消息称其将加快在美建厂速度,第三座晶圆厂今年动工

文 / 小亚 2025-03-28 07:39:02 来源:亚汇网

目前,该公司正在完成凤凰城Fab21一期工厂的设备安装工作,并计划在Fab21二期建设完成后将(设备安装)工具移至该区域。一期(N4工艺):2020年动工,2025年投产二期(3nm工艺):2026年试产,2028年量产三期(2nm工艺):可能2028年试产,可能2029年具备量产能力台积电高管向日经证实,经历过初期劳工短缺、成本超支等困难,他们已经成功解决大部分问题,并且搞清楚在建设新工厂时可以与哪些当地建筑承包商合作。若三期工厂如期完成,将成为美国首座具备2nm制程能力的半导体生产基地。尽管建设速度提升,但设备供应却成了新的制约因素。ASML与应用材料等供应商的订单积压严重,光刻机交付周期难以压缩。这可能导致美国工厂的实际技术导入滞后中国台湾1-2个制程节点:除此之外,根据供应链信息,美国工厂所生产的芯片将限定于特定产品线,而且这些工厂生产的芯片不会用于苹果的最新机型,因为最先进的制造工艺仍将保留在中国台湾工厂。其中,一期工厂预计将生产苹果分析师郭明錤之前也曾提到,首款基于2nm工艺的AppleSilicon将是“A20”,预计将于明年在iPhone18系列中首次亮相,这再次表明美国芯片的进度将远远落后于未来高端苹果设备的技术需求。等到台积电三期工厂2nm产线投产时,苹果当代旗舰可能已采用最新的1.6nm(A16)工艺。广告声明:文内含有的对外跳转链接(包括不限于超链接、二维码、口令等形式),用于传递更多信息,节省甄选时间,结果仅供参考,亚汇网所有文章均包含本声明。

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