2020-09-07 17:53:22
1.光刻机技术
以光刻机为例，中国1978年开发的5微米制程半自动光刻机，只比美日等国落后5-7年。80-90年代，电子工业部45所、上海光机所、中科院光电所等单位持续推出多个版本的光刻机；新世纪，上海微电子承接02专项任务，2007年开发出了90nm制程光刻机。与自身相比，中国芯片产业并未停滞，2019年生产集成电路2018.2亿个，40年来增长上万倍。但由于芯片制造相关的基础科研能力不足，制程从微米深入纳米后，中国无法跟上世界顶尖企业的发展步伐，缺少足够的市场竞争力，差距逐渐拉大。
改革开放以来，在大部分科技领域中国是加速追赶的态势，发达国家技术线性发展或是停滞。芯片制造是少见的例外，业界顶尖公司不断取得难度极高的技术突破，将先进制程推到了7nm、5nm。目前最先进的处理器有多达300亿个晶体管，一平方毫米内有1亿个晶体管。中国现有完全自主的芯片制造能力，与国际先进水平差距约15年。国产光刻机主要应用在芯片封装等技术要求低的次要环节。
2.美国的优势
美国依靠创始地位，在芯片设计、制造领域有巨大的优势。美国公司设计的芯片占了54%的市场份额，中国公司设计的仅占3%。在芯片制造领域，美国EDA软件、材料、设备的优势更大。世界唯一的光刻机巨头荷兰ASML，技术来源亦受控于美国，中国采购最先进EUV光刻机被迫中止。上海微电子最初开发的90nm光刻机因部件供应依赖美国，无法量产，直到近年来才完成自主化向市场公开发售。
3.半导体技术突破堪比两弹一星
中国对芯片半导体的自主突击已经开始，从技术角度看难度超过两弹一星。但是中国的技术实力也比当初要强得多，还有市场的巨大能量，全面突破只是时间问题。
中国并非没有发展芯片制造的能力，相关的技术一直有国家专项资金重点支持，只是作为技术储备，未大规模进入生产环节。新逻辑下，自主技术将获得空前的市场动力。相关企业为了生存，会主动进行“去美化”，对芯片技术体系进行巨大的调整，让自主技术起到支柱作用。消费者也会对真正“中国芯”的产品爆发出巨大的热情，用实际行动支持新时期的原子弹研发任务。
先进芯片制造的难度极高，综合了多个领域最先进的技术，光刻机是工业皇冠上的明珠。不应指望中国自主技术短时期内就能突破最先进的制程，也许需要花10年这样长的时间。但意义更大的是，真正在市场上大规模应用的自主芯片设计制造技术体系。如果众多企业参与的，全自主设计、制造、应用、资金回收的闭环形成，即使并非最先进，也意义非凡，甚至可以宣布美国芯片攻势的失败。
不受干扰的全产业链形成后，以中国巨大的市场为基础，快速迭代开发将势不可挡，其它国家的企业也会主动参与“去美化”进程，美国的封锁将毫无战略意义，反而会反噬自身。这个进程也许会比想象的快得多，这也是中国制造的特色，虽然不是最先进，也足以改变产业战略态势。
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